電動車(EV)商機看旺，日本半導體大廠瑞薩電子(Renesas Electronics)重啟一座已進行關閉的舊廠房，倍增IGBT等功百家樂三寶打法率半導體產能。
瑞薩11日發布新聞稿公布，因看好EV需求擴大，為了增產功率半導體，已重啟甲府工廠、於當日舉行了開幕典禮百家樂預測程式ptt。瑞薩之前在2024年10月關閉甲府工廠，此為甲府工廠關閉約10年後、進行重啟。
甲府工廠原本擁有支援6吋和8吋晶圓的產線，而瑞薩為了因應攀升的功率半導體需求，活用甲府工廠現有的廠房，於2024年投資約900億日圓、導入功百家樂下注率半導體專用的12吋產線，此次重啟進行試產等作業後，甲府工廠將在2025年開始量產IGBT等功率半導體、屆時瑞薩功率半導體產能將擴增至現行的2倍。
瑞薩1月11日公布將收購美國氮化鎵(GaN)功率半導體廠商Transphorm、藉此取得Ggs 百家樂aN技術。瑞薩指出，藉由收購Transphorm、將可讓瑞薩取得使用於功率半導體的關鍵次世代材料「GaN」技術，將能讓瑞薩抓紧EV、 資料中心、AI、再生能源等成長顯著的市場機會。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)宣布調查報告指出，因EV等車輛電動化需求、加上太陽能發電等再生能源普及，帶動2024年全球功率半導體市場規模(涵盖矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增125%至3兆186億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2024年暴增4倍(飆增約400%)。
